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专利名称：半导体器件专利类型：实用新型专利发明人：M·J·塞登,F·J·卡尔尼申请号：CN201621056911.7申请日：20160914公开号：CN206293436U公开日：20170630
摘要：本实用新型涉及半导体器件。提供一种半导体器件，包括：第一晶圆区段，所述第一晶圆区段包括第一半导体管芯；以及第二晶圆区段，所述第二晶圆区段包括第二半导体管芯，其中所述第一晶圆区段与所述第二晶圆区段对准。本实用新型解决的一个技术问题是使晶圆上的半导体管芯对准。本实用新型实现的一个技术效果是提供对准的半导体器件。
申请人：半导体元件工业有限责任公司
地址：美国亚利桑那
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：申发振
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