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｝、ｌｅｌ：ｌ；；｝Ｒ口ｃ＝ｌＵ ５ ＳＣ一８８和ＳＣ一７０—６封装相同的占位面积，但是安森美半导体 位批量购买，每片起价为４．２０美元。 的最新ＭＯＳＦＥＴ产品提供了更多性能，它在底面露出一个可 以做为漏极接点以及散热路径的连接面，强化后的散热路径 英飞凌优化牵引驱动的全新ＩＨＭ／ＩＨＶ Ｂ功率模块 能处理更高功率或在更低接点温度工作。这些选择在采用电 池运作的设备上更为重要，因为更低的接点温度也就代表了 英飞凌科技公司（１ｎｆｉｎｅｏｎ）推出１ＨＭ／ＩＨＶ Ｂ系列的１ＧＢＴ （绝缘栅双极晶体管）模块。运用这个全新的模块，用户可设 更低的导通电阻ＲＤＳ（ｏｎ）或更少的功耗，也就是说可以延长 计出能够在严酷的环境下正常工作，全面满足大负荷与温度 电池的使用时间，而这正是手机、数字相机，便携式游戏机、 循环要求的高效功率变频器，如机车、列车和电车的牵引驱 ＨＭ—Ａ模块的功能 便携式全球定位系统或任何采用电池运作的消费电子产品在 动装置等。全新模块扩展了英飞凌上一代１考虑许多功耗问题时的一个极重要因素。 和规格，实现了热阻陆能的改善和负荷循环能力的提高，并 将运行温度提高至＋１５０￣。该公司称，与同等尺寸的传统变 凌特公司双输出３６Ｖ降压型ＬＥＤ驱动器 频器相比，基于这种全新高功率模块设计的变频器的功率可 凌特公司（Ｌｉｎｅａｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）推出双输出 提高５０％。同时，因为１ＨＭ／ＩＨＶＢ模块优良的热性能，运用 ３６Ｖ、高达２ＭＨｚ的降压型ＤＣ／ＤＣ转换器ＬＴ３４７５，设计该 他设计的变频器的输出电流在典型的工矿下可以使得输出电 器件以作为双通道恒定电流 流的能力提高５０％，例如，３，３００Ｖ模块的额定电流从１，２００Ａ ＬＥＤ驱动器运作。每个通道 升至１，５００Ａ，增幅高达２５％。这种全新模块的最大运行温度 都有内部检测电阻和调光控 也从先前＋１２５℃上升至＋１５０￣Ｃ。英飞凌还将这种模块的最小 制功能，从而非常适用于驱 贮存温度从先前－４０￣Ｃ降低至一５５℃。除改进热阻性能外，全 动需要高达１．５Ａ电流的 新模块还可满足一些要求非常苛刻的应用对耐用性与可靠性 ＬＥＤ。一个通道以与另一个 的要求，如列车或电车的牵引驱动装置等。在启动与停止阶 通道相位相差１ ８００的方式 段，这些牵引驱动装置的温度有很大的波动。为了满足牵引 进行开关操作，从而减小了输入纹波。每个通道在５０ｍＡ至 驱动设备的性能需求，英飞凌为１ＨＭ／ＩＨＶ Ｂ设计了铝碳化硅 ＡＬＳｉＣ）基板。与相关联的隔离陶瓷结合使用，铝碳化硅基 １ ５Ａ的电流范围内保持高输出电流准确度，同时独特的 （０倍。对于其他温度变化幅度较小的 真正彩色ＰＷＭ（Ｔｒｕｅ Ｃｏｌｏｒ ＰＷＭＴＭ）电路允许３０００：１的 板可将热循环能力提高ｌ调光范围，而且没有任何通常与ＬＥＤ电流调光有关的颜色 应用，如工业传动、风能发电和电梯等，英飞凌将提供使用 改变。ＬＴ３４７５具有４Ｖ至３６Ｖ的宽输入电压范围（瞬态电 铜基板的１ＨＭ／ＩＨＶＢ模块变体。 压高达４０Ｖ），可调节于两节锂离子电池和５Ｖ逻辑轨到未 稳压的墙上变压器及汽车电源系统的多种电源。其开关频率 ＡＲ Ｗｏｒｌｄｗｉｄｅ宽带放大器 可用单个电阻在２００ｋＨｚ至２ＭＨｚ范围内设置，从而可使用 ＡＲ Ｗｏｒｌｄｗｉｄｅ ＲＦ／Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ推出８００Ａ３ 纤巧电感器和陶瓷电容器。该器件采用耐热增强型ＴＳＳＯＰ一 型宽带放大器，该放大器具有一个可切换的变压器，可让用 ２０封装，可为驱动大电流ＬＥＤ组成非常紧凑的解决方案。 户选择输出阻抗以匹配负载 ＬＴ３４７５采用高压侧检测方式，实现了接地的ＬＥＤ阴极连 阻抗。该装置可设置为１２ 接，因此在大多数应用中无需ＬＥＤ回线。它的每个通道还 Ｑ到４００ Ｑ之间的任意值。 ０ ｋＨｚ到３ 具有集成的升压二极管，进一步缩小了解决方案占板面积并 这种８００Ｗ、１降低了成本。其它特点包括ＬＥＤ开路和短路保护。 ＭＨｚ放大器适用于要求高 采用耐热增强型２０引线ＴＳＳＯＰ封装的ＬＴ３４７５ＥＦＥ有 电压和高阻抗的应用，如化 一 现货供应，以１，０００片为单位批量购买，每片起价为３．５０美 学、物理和超声波清洗等应用。除８００Ａ３型号外，还推出 元。…１级版本ＬＴ３４７５１ＦＥ也有现货供应，以１，０００片为单 一种允许更高输出阻抗的版本。 ５４－２００６．７ ＷＷＷ．ｅｃｎｃｈｉｎａ．ｃｏｍ
