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专利名称：MOSFET过冲电压和下冲电压的测量结构和方法专利类型：发明专利发明人：袁明红
申请号：CN201810368378.5申请日：20180423公开号：CN108594103A公开日：20180928
摘要：MOSFET过冲电压/下冲电压的测量结构和方法，包括：N阱和P阱，分别具有PMOS和NMOS；设置在N阱中的第一阱区接触连接第一电源电压；设置在P阱中的第二阱区接触连接第二电源电压；在过冲电压测试期间，PMOS的源端或漏端之一用作输入端用于输入激励电流且同时用作输出端用于记录输出电压，NMOS的源端或漏端连接第二电源电压；在下冲电压测试期间，NMOS的源端或漏端之一用作输入端用于输入激励电流且同时用作输出端用于记录输出电压，PMOS的源端或漏端连接第一电源电压。本发明利用相邻源漏端和阱接触构成的PNPN结构作为测试结构，使用闩锁方法测得过冲电压和下冲电压，简化了测试结构，提高了测试效率。
申请人：长江存储科技有限责任公司
地址：430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
国籍：CN
代理机构：北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)
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