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专利名称：最小化场阑IGBT的缓冲区及发射极电荷差异的方
法
专利类型：发明专利
发明人：马督儿·博德,安荷·叭剌,管灵鹏申请号：CN201110156814.0申请日：20110530公开号：CN102347355A公开日：20120208
摘要：本发明提出了一种在半导体衬底中形成的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该IGBT含有一个第一导电类型的缓冲层，在第一导电类型的外延层下方形成，具有本体和源极区。该IGBT还包括一个在缓冲层下方的轻掺杂的衬底层，以及一个第二导电类型的掺杂层，沉积在轻掺杂的衬底层下方以及所述的IGBT的漏极电极上方，贴装到所述的半导体衬底的底面上，其中第二导电类型的掺杂层的掺杂浓度高于轻掺杂的衬底层。
申请人：万国半导体股份有限公司
地址：美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号
国籍：US
代理机构：上海信好专利代理事务所(普通合伙)
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