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专利名称：芳香族杂环化合物、其制造方法、有机半导体材料
及有机半导体元件
专利类型：发明专利
发明人：川田敦志,长浜拓男,林田広幸,桝谷浩太申请号：CN201480017557.4申请日：20140317公开号：CN105073754A公开日：20151118
摘要：本发明提供一种具有高的电荷迁移性、氧化稳定性、溶剂可溶性的有机半导体材料，使用其的有机半导体元件以及其中使用的新颖的芳香族杂环化合物与其制造方法。所述芳香族杂环化合物是由下述通式(1)所示，具有2个杂原子，且具有6个环进行缩合而成的结构。式中，X表示氧原子或N-R，R为氢或一价取代基。有机半导体材料含有所述芳香族杂环化合物，用于有机半导体膜、有机薄膜晶体管、有机光伏元件等有机元件。
申请人：新日铁住金化学株式会社
地址：日本东京千代田区外神田四丁目14番1号
国籍：JP
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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