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专利名称：磷酸三镓晶体的助熔剂生长法专利类型：发明专利
发明人：王继扬,徐国纲,李静,张怀金,刘宏申请号：CN200710016501.9申请日：20070807公开号：CN101104950A公开日：20080116
摘要：本发明提供了一种磷酸三镓晶体的助熔剂生长法。该方法是将磷酸二氢铵、氧化镓、碳酸锂、氧化钼按1∶2.44∶(1.96～4.41)∶(11.45～25.77)重量比称量，混和均匀后放入铂金坩埚，在生长炉中加热熔融，再冷却至熔液饱和点温度之上10～20℃，得到GaPO与助熔剂的混和熔体；将籽晶引入生长炉，在温度降至饱和点以上1～2℃时，下入籽晶，同时以30转/每分钟的旋转速率旋转，待籽晶开始熔化后，降温生长，生长结束后，从熔液中提出晶体，以20～30℃/小时的降温速率降至200℃后，自然冷却至室温即得厘米级尺寸的GaPO晶体。本发明设备简单、生长速度快、容易操作，可以获得大尺寸的光学质量好的GaPO单晶。
申请人：山东大学
地址：250100 山东省济南市历下区山大南路27号
国籍：CN
代理机构：济南圣达专利商标事务所
代理人：王书刚
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