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专利名称：再装填原料多晶硅的方法专利类型：发明专利
发明人：加藤英生,吉村聡子,二宮武士申请号：CN201110455221.4申请日：20111227公开号：CN102534755A公开日：20120704
摘要：为了提供再装填原料多晶硅的方法，所述方法能够再装填大块多晶硅，同时防止坩埚被损坏、破裂以及所生长的锭的无位错率和质量的下降。当再装填多晶硅块时，首先引入缓冲层形成多晶硅块Sb，其为小尺寸多晶硅块S1或中尺寸多晶硅块S2。所述缓冲层形成多晶硅块Sb沉积在坩埚20中的硅熔体40的表面41上，并且形成缓冲层50。由于接下来将大尺寸多晶硅块S3引入到所述缓冲层50上，所述缓冲层50缓冲由于大尺寸多晶硅块S3落下而引起的冲击。
申请人：硅电子股份公司
地址：德国慕尼黑
国籍：DE
代理机构：永新专利商标代理有限公司
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