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专利名称：非易失性存储器及其制造方法专利类型：发明专利发明人：蒋汝平,廖修汉申请号：CN2009101262.9申请日：20090324公开号：CN101847606A公开日：20100929
摘要：一种非易失性存储器及其制造方法。所述非易失性存储器包括多个栅极结构、多个掺杂区、多个第二间隙壁以及多个接触窗插塞。栅极结构配置于衬底上，各栅极结构包括控制栅极与栅介电层。控制栅极配置于衬底上，且各控制栅极的两侧具有两个第一间隙壁。栅介电层配置于控制栅极与衬底之间。掺杂区配置于相邻两栅极结构之间的衬底中。第二间隙壁配置于栅极结构的侧壁上。接触窗插塞配置于相邻两第二间隙壁之间。
申请人：华邦电子股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：北京三友知识产权代理有限公司
代理人：任默闻
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