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专利名称：非易失性存储器及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：吴冠纬,张耀文,杨怡箴,卢道政申请号：CN201410061086.9申请日：20140224公开号：CN104867929A公开日：20150826
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括一衬底、一布设于该衬底上的电荷撷取结构、一布设于该电荷撷取结构的缓冲层及多个布设于该缓冲层上的导电层。该非易失性存储器的制造方法包括以下步骤：将一电荷撷取结构形成于一衬底上、将一缓冲层形成于该电荷撷取结构上、将一导电层形成于该缓冲层上及图形化将该导电层。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区力行路16号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：任岩
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