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专利名称：一种多晶硅清洗装置及方法专利类型：发明专利发明人：潘浩,全铉国
申请号：CN202010356974.9申请日：20200429公开号：CN111524834A公开日：20200811
摘要：本发明提供一种多晶硅清洗装置及方法，属于半导体技术领域，该多晶硅清洗装置包括：刻蚀容器，用于容纳多晶硅和酸液；酸液脉动单元，与所述刻蚀容器连通，用于驱动所述刻蚀容器内的酸液以指定规律波动，以带动所述多晶硅波动。从而可以在提高刻蚀清洗效率、缩短工艺时间、提高产能的同时，有效降低能耗、液耗。
申请人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
地址：710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
国籍：CN
代理机构：北京银龙知识产权代理有限公司
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