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专利名称：单晶硅片清洗装置专利类型：实用新型专利发明人：向菊
申请号：CN202021812409.0申请日：20200826公开号：CN213079309U公开日：20210430
摘要：本实用新型属于单晶硅片清洗技术领域，提供了单晶硅片清洗装置，包括台面倾斜设置的支撑台，所述支撑台的中心位置开设有滚动槽，滚动槽从高处到低处依次设置有放置工位、物理清洗工位、化学清洗工位和取出工位，所述放置工位上固定安装有用于推动单晶硅片的第一推动机构，所述物理清洗工位设置有用于阻挡单晶硅片的第一伸缩机构和用于顶出单晶硅片的第一顶出机构，所述化学清洗工位设置有用于阻挡单晶硅片的第二伸缩机构，所述取出工位设置有用于顶出单晶硅片的弹性顶出机构，所述支撑台的两侧对称地安装有第一侧板和第二侧板。本实用新型的单晶硅片清洗装置，在不需要两侧翻面的情况下，一次性完成清洗，简化清洗过程。
申请人：深圳市羿烽科技有限公司
地址：518000 广东省深圳市宝安区西乡街道桃源社区前进二路134号锦联大厦A708
国籍：CN
代理机构：重庆百润洪知识产权代理有限公司
代理人：郝艳平
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