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专利名称：集成淬灭电阻的单光子雪崩二极管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：徐江涛,张安,韩立镪,高静,史再峰申请号：CN201610887005.X申请日：20161011公开号：CN106298816A公开日：20170104
摘要：本发明涉及一种单光子雪崩二极管(SPAD)及其制作方法，为降低版图尺寸的集成淬灭电阻的SPAD结构及其制备方法，通过将淬灭电阻光刻在SPAD结构中，使雪崩电荷控制在合理范围内，从而实现后脉冲概率的有效降低，改善像素性能。本发明采用的技术方案是，集成淬灭电阻的单光子雪崩二极管，在P型半导体衬底上，生成有P型外延层，在P型外延层上先后进行N型杂质注入和P型杂质注入形成有PN结，PN结上设置氧化形成的氧化层，对部分氧化层进行刻蚀处加入有阳极，阳极与P型杂质相连通，利用光刻添加的淬灭电阻与阳极相连，阳极通过一层金属环与输出引脚相连。本发明主要应用于单光子雪崩二极管设计制造。
申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号
国籍：CN
代理机构：天津市北洋有限责任专利代理事务所
代理人：刘国威
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