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专利名称：一种半导体发光器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：陈诚,齐胜利,郝茂盛申请号：CN201310229568.6申请日：20130609公开号：CN103311409A公开日：20130918
摘要：本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法，该方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上生长外延层，所述外延层自下向上依次包括GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型氮化镓层、发光层及P型氮化镓层；在所述衬底和非故意掺杂GaN层之间形成呈带状分布的空气夹层及相应的粗化结构界面；继续后继芯片工艺处理；采用倒装工艺封装该器件。本发明有效的提升芯片的散热能力，又提升了出光效率。
申请人：上海蓝光科技有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：李仪萍
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