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专利名称：半导体发光器件以及半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：S·E·霍珀,V·鲍斯奎特,J·赫弗尔南申请号：CN2006100776.3申请日：20060428公开号：CN1855565A公开日：20061101
摘要：一种制造氮化物半导体器件的方法包括以下步骤：生长InGaN(0≤x≤1)层；在至少500℃的生长温度时在所述InGaN层上生长含铝的氮化物半导体层，使得电子气区由此形成于所述InGaN层和氮化物半导体层之间的界面处，随后，以至少800℃的温度对所述氮化物半导体层进行退火。本发明的方法可以提供具有6×10cm或以上的片载流子密度的电子气。可以用具有相对较低铝浓度(诸如0.3或以下的铝摩尔分数)的含铝的氮化物半导体层获得具有这种高片载流子浓度的电子气，且不需要掺杂该含铝的氮化物半导体层或InGaN层。
申请人：夏普株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：张政权
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