（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200680018829.8 （22）申请日 2006.03.07 （71）申请人 朗姆研究公司
地址 美国加利福尼亚州
（10）申请公布号 CN101185157A
（43）申请公布日 2008.05.21
（72）发明人 卡梅利娅·鲁苏;黄志松;穆昆德·斯里尼瓦桑;埃里克·A·赫德森;阿龙·埃普勒 （74）专利代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 余刚
（51）Int.CI
H01L21/311;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
蚀刻形貌控制
（57）摘要
提供了一种用于蚀刻位于基片上且置于掩
模下的介电层的方法。基片设置于等离子体处理室中。提供包括O
法律状态
法律状态公告日
2008-05-21 2008-07-16
公开
实质审查的生效
法律状态信息
公开
法律状态
实质审查的生效
法律状态公告日
2011-02-02
授权
法律状态信息
授权
法律状态
权利要求说明书
蚀刻形貌控制的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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