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专利名称：半导体工艺方法专利类型：发明专利发明人：王参群,陈亮吟申请号：CN201710232837.2申请日：20170411公开号：CN107785322A公开日：20180309
摘要：一种半导体工艺方法，包含形成包括N型掺质的第一介电层于第一鳍之上，第一鳍延伸于基板的第一区域之上，及形成包括P型掺质的第二介电层于第一鳍及第二鳍之上，第二鳍延伸于基板的第二区域之上，第二介电层位于第一介电层上，及形成隔离层，介于相邻的第一鳍之间，以及介于相邻的第二鳍之间。本方法更加包括以第一掺质进行第一注入工艺，注入工艺改变隔离层的蚀刻速率，以及凹蚀隔离层、第一介电层及第二介电层，其中在凹蚀之后，第一鳍及第二鳍延伸于隔离层的上表面之上。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹市
国籍：TW
代理机构：隆天知识产权代理有限公司
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