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专利名称：基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列及其
制备方法
专利类型：发明专利
发明人：陈迪,吴澄,胡锐军,陈景东,陈翔申请号：CN201010284607.9申请日：20100917公开号：CN101973508A公开日：20110216
摘要：一种微机电技术领域的一种基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列及其制备方法，其电极阵列包括：固定夹具以及固定于内的若干层脑电图干电极，该脑电图干电极包括：金属电极微针及电路层以及位于其两侧的第二金属种子层和第二聚酰亚胺层，金属电极微针表面包覆惰性金属层，第一聚酰亚胺层是脑电图干电极的柔性衬底。本发明工艺简单，成品率高；电极的位置可根据应用要求改变其排列；采用金属作为电极主体，机械强度高、阻抗小，柔性衬底图形化质量高，生物相容性好；采用电极的多层组装并使用夹具固定，制成电极的立体阵列，容易固定且屏蔽佳。
申请人：上海交通大学
地址：200240 上海市闵行区东川路800号
国籍：CN
代理机构：上海交达专利事务所
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