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纳米掺杂复合低压氧化锌压敏电阻及其制作工艺[发明专利]

来源:刀刀网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:纳米掺杂复合低压氧化锌压敏电阻及其制作工艺专利类型:发明专利发明人:孙丹峰,邴绍同,陈明申请号:CN200410065448.8申请日:20041203公开号:CN1614720A公开日:20050511

摘要:一种纳米掺杂复合低压氧化锌压敏电阻,它包括下列各成分:三氧化二铋、二氧化钛、氧化高钴、三氧化二镍、碳酸锰、铝、其余为氧化锌;本发明采用液相合成的单分散纳米TiO与其它普通微米级粉体材料相复合,纳米TiO颗粒在体系中均匀分布且完全不存在团聚体,由此方法制成的低压氧化锌压敏电阻电压梯度低于25V/mm,非线性系数、漏电流、电压比、能量容量和通流能力均优于传统方法生产的低压压敏电阻,批量生产成品率平均大于90%。

申请人:江苏苏净集团有限公司

地址:215011 江苏省苏州市新区玉山路55号

国籍:CN

代理机构:苏州创元专利商标事务所有限公司

代理人:孙仿卫

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