Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太

有网友碰到这样的问题“Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太”。小编为您整理了以下解决方案，希望对您有帮助：

解决方案1：

（1）Ga原子的原子结构示意图中，有四个电子层，最外层有3个电子，所以其属于第四周期第IIIA族，As是33号元素，其原子结构示意图为



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故答案为：第四周期第IIIA族，



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 （2）Ga是31号元素，所以Ga的原子核外电子排布式为1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 ；
故答案为：1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 ；
（3）GaCl 3 中价层电子对个数=3+ 1 2 （3-3×1）=3，且没有孤电子对，所以其空间构型是平面三角形结构；
AsF 3 中价电子对个数=3+ 1 2 （5-3×1）=4，有一个孤电子对，所以其空间构型是三角锥形；
故答案为：平面三角形，三角锥；
（4）SiC的结构跟金刚石相似，金刚石是原子晶体，则碳化硅是原子晶体，原子晶体的熔点高、硬度大；
故答案为：原子，硬度大、熔点高；
（5）同一周期中，第VA族元素第一电离能大于第VIA元素，As 和Se属于同一周期，As是第VA元素，Se是第VIA元素，所以第一电离能As＞Se；
故答案为：＞；
（6）根据图片知，每个S离子连接4个Zn离子，所其配位数是4；
故答案为：4；
（7）二氧化硒分子中价电子对个数=2+ 1 2 （6-2×2）=3，含有一个孤电子对，所以其空间构型是V形，等电子体中含有相同的价电子数且原子个数相等，如果把硒原子换成氧原子或硫原子，二氧化硒变成臭氧或二氧化硫，其价电子数和原子个数都相等，所以是等电子体；
故答案为：V形，O 3 （或SO 2 ）．